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扇出能力(扇出)

导读 很多人对扇出能力,扇出不是很了解那具体是什么情况呢,现在让我们一起来瞧瞧吧!1、当时都没有听过这个词,结果很茫然。后来工作中用到了C

很多人对扇出能力,扇出不是很了解那具体是什么情况呢,现在让我们一起来瞧瞧吧!

1、当时都没有听过这个词,结果很茫然。后来工作中用到了CPLD,逐渐了解到扇出的概念,但是很笼统,只知道是输出驱动的问题。由于CPLD只是用于光电编码器的4倍频可逆计数,然后通过一种RAM的读写方式送给单片机,速度不高,并没有出现这个问题,所以也就一直没有深究这个问题。今天一时兴起,baidu了一下“扇出”,搜到了一个blog,上面好多人给出了比较详细的解释,看完之后觉得受益匪浅,决定记录下来。

2、扇出的能力主要是由管子的静态特性和动态特性来决定。所谓的静态特性,就是前一级的管子对后级的直流电流驱动能力,而能使其稳定工作于Q点,就是其电阻性的表现,也叫DC-Load;

3、而 动态特性是指电路对于电压切换速度方面的需求(就是高低电压互相切换的速度)。因为无论是线上还是管子本身都有一个等效的容值,这个速度就是电容的充放电时间,也就是RC常数。这时表现为容性,也叫AC-Load.当扇出数超过某个值的时候,电压的切换速度已经不能满足系统的要求。静态特性与动态特性同时对管子起作用,但是一般考虑起主要作用的那个。对于TTL器件来说,一般考虑的是静态的特性,也就是有多大的电流驱动能力。而对于Mos器件来说,如果后面驱动的也是Mos管的话,因为流过后级管子的电流就是管子的漏电流,这个电流极小,因此可以忽略不计。因而可以认为其后级的输入电阻是无穷大的,所以一般不考虑其静态特性,而考虑其动 态特性,也就是电容性。

4、而MOS管上升与下降时间的延迟(RC常数)主要考虑两个因素:一是R,就是开门管子(ON-transistor,这个我不知道怎么表达)的等效 电阻,二是C,后级的等效电容。因为组成反向器的两个MOS管在开关的时候使用不同的NP沟道,这两个沟道的阻值是不同的,因而造成了上升时间和下降时间的不同,上升时间会长一点,而下降时间会比较短。)

本文【扇出能力(扇出)】到此讲解完毕了,希望对大家有帮助。