【三星考虑将MUF技术应用于服务器DRAM内存】!!!今天受到全网的关注度非常高，那么具体的是什么情况呢，下面大家可以一起来看看具体都是怎么回事吧！

1、三星正在考虑在其下一代DRAM中应用模压填充（MUF）技术。

2、三星最近测试了一种用于3D堆栈（3DS）内存的MR MUF工艺，与TC NCF相其吞吐量有所提升，但物理特性却出现了一定恶化。

3、经过测试，该公司得出结论，MUF不适用于高带宽内存（HBM），但非常适合3DS RDIMM，而目前3DS RDIMM使用硅通孔（TSV）技术制造，主要用于服务器。

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