【消息称三星曾计划在美国建10nm制程DRAM内存厂】!!!今天受到全网的关注度非常高，那么具体的是什么情况呢，下面大家可以一起来看看具体都是怎么回事吧！

1、三星电子曾考虑在美国泰勒建设一座10nm先进制程的DRAM内存厂，相关商讨一直持续到了协议签署前的最后一刻。

2、美国为该内存厂建设计划提供了优厚条件，三星也对此十分积极，但由于在美国建设先进内存厂在技术上较为困难，成本也较高，且韩国政府表达了反对意见，最终三星电子转而选择在美建设先进封装工厂。

3、(科创板日报)。

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